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    关于内存板型，主板板型，平台，内存颗粒对比与验货，说明标准的硬件搭配，附有一定BIOS设置科普的内存超频入门教程（否则硬件有问题那就没门了=_=）。影响本教质量的主要因素是资料来源的不完整以及考虑的参数多，所以结果会因人而异。但看完本教程后预计观众能做到从硬件层面拓宽一切瓶颈，斩除超频前的一切软硬件障碍。 (⊃‿⊂) ⊂(⋂ヮ⋂)⊃

提醒： 本经验写出来就是因为本文作者对目前的内存相关教程不满，所以目标人群非常广泛，里面的东西肯定有你不懂的=_=

提醒： 本经验的内容密度极大，非常大，初次阅读头疼一阵是正常现象哦

提醒： 本经验用了无法通过百度和网易审核的写作技巧，想转载也转不了；且由于观看人群不同，收费查看全文的内容形式只会损失流量

你知道吗： DDR4内存有四种B-die，其中两个是镁光的=_=

超频常识

• 几乎所有的极限超频都是通过牺牲芯片寿命做到的
• 内存超频调试过程中会制造一定数量的死机，因此如果系统和驱动本身就不稳定，则几乎不可能完成
• CPU的内存控制器越好，支持的内存频率就越高，主时序就越低

主板-软件

BIOS版本： BIOS越新越稳，超频性能越好，中高端主板更新BIOS还可能会自动优化子时序，虽然...厂商有时会发布Beta版本，这种情况下如果主板发行有一定年头的话可以跳过这个版本

• 主板厂商会发布要求更新到特定版本BIOS后才能升级的BIOS，下载前要注意
• 主板厂商会阻止旧BIOS上保存的超频预设应用到新BIOS，记得用BIOS自带的截图功能保存，而不是把预设保存到文件
  修订/Rev号：同型号主板修订号变化（大于1.0）意味着其中内存拓补可能改了，造成完全不同的内存超频空间。个别主板还分评测/零售版

BIOS/主板常规功能

• 内存电压
• 自检报错灯
• 内存控制器电压
• 主-副BIOS自动切换
• BIOS设置导出到FAT32盘
• 内存时序（主）和主板时序（子）

BIOS/主板高端超频功能

• 钽电容
• DR-MOS管
• BIOS设置导出到exFAT或NTFS盘
• 内存初始化（Training）专用电压
• 风扇+铜管VRM散热系统（只剩ITX这种塞不下电感的地方还能看到）
• 二位数PostCode/自检报错LED（可自购，成本很低但被厂商强征高端）
• 板载开关机按钮，清BIOS按钮（测试平台上非常方便...虽然开关在哪国都是两块钱一个）

BIOS/内存超频专精(?)功能

• 自动内存超频
• 1DPC（双槽）拓补（见下）
• 二位数自检报错LED（可自购）

过于高端，现已绝迹

• 主-副BIOS的手动切换开关
• 方便测电表检测的插针放置口
• 四位数PostCode/自检报错LED（可自购，成本很低）
• BIOS内置的内存/CPU压力测试（省去制作MemTest启动盘的功夫，防止CPU烤机把系统盘弄坏之类的）

读写预训练步骤（Training）

• 可不严格的称为自检
• 不叫"初始化"，因为这是内存运行中常用的操作
• 主板对内存进行CMD/CTL/ADDR时序测试，Vref调试，字节启用检查，寻址检查，数据校验，walking 1s，walking 0s等步骤
• 表现为保存内存时序/频率设置后，要在进系统前重启（开-关-开）一会儿才能进系统的现象
• 由于训练步骤的"工作环境"与进入系统后不同，所以内存超频有"初始化专用电压"的设置
• 内存容量越大，Training越慢
• 内存与内存控制器技术诞生时期越早，Training越慢
  • DDR5内存初期有要等400秒Training才能开机的主板

快速启动Fastboot模式

• 跳过Training，但增加内存工作环境变化，更换内存时仍使用旧设置导致系统数据损坏，所以建议不开

内存初始化（Precharge）

• 清空DRAM芯片中的所有数据

串行存在检测SPD

• JEDEC标准要求在内存模块EEP-ROM上读取
• 含时序，制造商，串行号（所在槽数），内存芯片拓补结构等信息

存BIOS里的设置消失的问题

1. 主板自动因为过不了自检而切换到了备用BIOS，而主BIOS芯片的设置数据不在其上
2. 主板自动加载了上次可开机的BIOS设置，进保存页加载之前储存的BIOS设置即可

解：准备FAT32文件系统的U盘，把更改的BIOS设置存到其中

主板-内存拓补

每槽1通道（1 DIMM per channel / 1DPC）

• CPU-->A1, CPU-->B1
• 双槽配置，HDV主板，ITX主板，内存超频专用板上常见
• 成本比菊花链和T拓补要低
• 线路最短，电磁干扰最小，内存性能远超菊花链

菊花链/飞线（Daisy chain/Fly-by）

• CPU-->A1-->A2，CPU-->B1-->B2
• 多数主板，部分高端主板，DDR5主板上常见
• 内存插A2+B2的内存性能仅次于1DPC
• 四槽插满时内存性能会暴跌，因为走线不等长
• 四槽插满+内存容量翻倍后，内存性能会再次暴跌
  • CPU-->A2比CPU-->A1长，CPU-->B2比CPU-->B1长

T拓补/平行（T-topology/Parallel）

• CPU-->分叉1; CPU-->分叉2；
• 分叉1-->A1+A2；分叉2-->B1+B2
• 工作站与服务器等插大量内存条的主板上常见
• 理论上插A2+B2，A1+B2，A1+B1，A2+B1没有区别
• 成本高但解决了四槽插满后A1-A2；B1-B2布线长度不一的问题
• 插入A2，B2槽后，由于走线长，所以比菊花链插A2，B2要慢很多
• 因为有分叉点，所以走线的复杂度高，离CPU最近槽的走线长度超过了菊花链最远槽的长度
• 四槽插满后，由于A1和A2走线等长；B1和B2走线等长，所以比菊花链4槽插满的内存速度要快很多
• 四槽插满+内存容量翻倍后，内存性能几乎不受影响

低配T拓补

• CPU-->分叉1；分叉1-->A1，A2
• 用在两槽主板上的设计方案？总体数量很少，可能在很低端的主板上可见。理论超频性能仍然比四槽T拓补好，不如1DPC
• 不如1DPC成本低，所以可能是为了省设计成本

主板走线数据：商业机密，所以同一种拓补只有某个厂商的版本最好，所以得看主板PCB层数再看拓补
内存走线数据：一般称为PCB布局，往下可见

超频空间排名

• 高：1DPC＞菊花链两槽插对＞1DPC单条16G插满＝T拓补两槽插对＞
• 中：菊花链单条16G两槽插对＝菊花链两槽插错＝T拓补4槽插对＞T拓补单条16G两槽插对＞
• 低：T拓补两槽插错＞其它

判断主板上的拓补

• 没有法律规定要求主板厂商于注明内存拓补，所以一般是通过测出来或者偷盗设计图看出来

主板-硬件

工作站主板

• 标准要求原生支持ECC内存，以及更严重"假装支持ECC内存（BIOS空开关）"的问题

ITX/DTX主板

• 板面小，常需10层PCB才有地方走线，但表现大概相当于6层PCB的ATX主板
  • 理论上内存性能永远差于同规格的ATX，mATX主板，但加钱就有例外
• 板面小，有的主板用了Small-Outline DIMM（SODIMM）
  • SODIMM内存缩减了很多VSS（电源/源极）针脚，供电走线要和其它数据针脚共享，造成电压损失
  • 电压损失等于信号差，即内存慢/延迟高，相当于花台式电脑的钱用笔记本电脑的延迟
• 小型主板没有地方走线的问题还降低了如PCIE等信号的稳定性，增加了设计成本

大小内存混插

• 大内存中，和小内存一样大的部分与小内存组成双通道，剩下的当单通道用

主板-厂商

AM4主板数据参考：AM4主板天梯, AM4主板天梯-镜像1

菊花链： x570 Godlike，x570 Creation，MAG x570 Tomahawk，MEG x570 Ace，MEG x570 Unify，MPG x570 Gaming Edge，MPG x570 Gaming Plus，MPG x570 Gaming Pro Carbon，x570 A-Pro，x470 Gaming M7，x470 Gaming Plus，x470 Gaming Pro，x470 Gaming Pro Max，x470 Gaming Pro Carbon，x370 Gaming Plus，x370 Gaming Pro，x370 Gaming Pro Carbon，x370 Krait Gaming，x370 SLI Plus，x370 Xpower Gaming Titanium，b550-A Pro，MAG b550 Tomahawk，MAG b550 Torpedo，MPG b550 Gaming Carbon，MPG b550 Gaming Edge，MPG b550 Gaming Plus，MPG b550 Gaming，b550M Pro DASH，b550M Pro VDH，MAG B550M Bazooka，MAG b550M Mortar
1DPC： x370M-HDV，b550M Pro， b550M Vector WiFi，MPG b550I Gaming Edge (Max) ，b450M Gaming Plus，b450M Pro M2 (Max/V1/V2)，b450 Gaming Plus，b350M Gaming Pro (VD Plus / VH Plus)，b350I Pro，a320M Gaming Pro，a320M-A Pro，a320M Grenade，a320M Pro-(E/M2_V1/M2_V2/VD_S_V1/VD_S_V2/VD_Plus/VH_Plus/VHL)

菊花链： x570 Aqua，x570 Creator，Phantom Gaming X，x570 Taichi (零售版)
T拓补： x570 Extreme 4，x570 Phantom Gaming 4，x570 Pro 4，x570 Taichi (评测版)，x570M Pro 4，x470 Taichi，x370 Taichi，
1DPC： x570 Phantom Gaming ITX / TB3，x470 Fatal1ty Gaming ITX，x370 Fatal1ty Gaming ITX，x270M-HDV，b550M-HDV，b550M ITX，b550 Phantom Gaming ITX，b450M-HDV Rev4.0，b450M-Dragon，b450 Fatal1ty Gaming ITX，ab350M (HDV Rev3/Rev43)，b350 Fatal1ty Gaming ITX，A520M (HDV/HDVP/HDVP-DASH)，a520M Pro 4，a320M Pro (VHL/ITX)，a320I-K，a320TM-ITX，a320M-HDV (R2.0/R3.0)，a320M-DVS (R3.0/R4.0)，a320M-DGS，a320M
1D1S（单槽）： x370 Pro BTC+

菊花链： Prime x570-P，Prime x570 Pro，Pro WS x570 Ace，Crosshair VIII Dark Hero，Crosshair VIII Formula，ROG Strix x570-E，ROG Strix x570-F，TUF x570 Plus，Prime x470 Pro，ROC Crosshair VII Hero，b550-E Gaming，b550-F Gaming，b550-XE Gaming
T拓补： ROG Strix x470-F Gaming，TUF x470-Plus Gaming，Prime x370 Pro，ROG Crosshair VI Hero，x370-F Gaming，b350-F Gaming，TUF b350M-Plus Gaming
1DPC： ROG Crosshair VIII Impact，x570-I Gaming，x470-I Gaming，ROG Strix b550-I Gaming，Prime b450M-K II，b450-I Gaming，Prime b350M-K (-E)，ROG Strix b350-I Gaming，Prime a520M-A/-E/-K/-C/-CSM，Pro A320M-(C R2.0/E/F/K/R WiFi)

菊花链： x570 Aorus Xtreme，x570 Aorus Elite，x570 Aorus Master，x570 Aorus Pro，x570 Aorus Ultra，x570 Gaming X，x570 UD，b550 Aorus Elite V1/V2，b550 Aorus Master，b550 Aorus Pro V1/V2，b550 Gaming X V1/V2，b550 Vision D Rev1001/Rev1002，b550M Aorus Elite，b550M Aorus Pro (P)，b550M-DS3H
T拓补： x470 Aorus Gaming 7 WiFi，x470 Aorus Gaming 5，x470 Aorus Ultra Gaming，AX370 Gaming 5，AX370 Gaming K5，AX370 Gaming K7，AX370 Gaming，AX370 Gaming 3，AX370 Gaming K3，AX370M-DS3H，AX370M Gaming 3，b450 Aorus Elite，b450 Aorus Pro，b450 Aorus Gaming X，b450 Aorus M，b450M DS3H (V1/V2)，ab350 Gaming 3，ab350M-D3H (D3V)，ab350M DASH，ab350M DS3H (V1/V2)，ab350M Gaming 3，ab350M HD3
1DPC： x570I Aorus Pro，b550M Gaming，b550M H，b550M S2H，b550-I Aorus Pro，b450M Gaming，b450M S2H (V1/V2) ，b450I Aorus Pro，ab350N Gaming，a520M H (S2H)，a320M-H (D2P/DS2/DS3/HD2/HD3/S2H_V1/S2H_V2)，a320M-DS2，a320M-D2P，a320MA-M.2

1DPC： Racing x470GTN Ver5.x，Racing x370GTN Ver5.x，B550MH Ver6.x，Racing b500GTQ Ver5.x，b450MHC Ver6.x，b450GT Ver5.x，b450MH Ver6.x，tb350-BTC Ver6.x，Hi-Fi B350S1 Ver6.x，Racing B350ET2，Racing B350GT3，b45M2，b350GTN Ver5.x，a520MH Ver 6.0-6.1，a320MD Pro Ver6.x，A320MH Ver6.x，A320MH Pro Ver6.x，TA320-BTC Ver6.x

菊花链： (!不确定!：CVN X570 GAMING PRO V14，CVN X570M GAMING PRO V14，战旗C.X370AK X5 V14)
1DPC： Battle-Ax b550M-HD Pro V14，断剑 A320M-K Pro (Ver6.x)，断剑 A320M-K Pro (V14/YV14)，A320M-M.2 Pro V15，Battle Axe C.A320M-D Plus YV14，(!不确定!：BATTLE-AX B550M-T PRO V14，断剑 AB350M Pro V14)

菊花链： (!不确定!：MS-iCraft B550M，MS-B350FX Gaming PRO)
1DPC： (!不确定!：MS-终结者 B550M，MS-挑战者 A520M (K)，MS-挑战者 B350M，MS-挑战者 A320M.2-VH，MS-A320D4 Turbo)

1DPC： Durathon 2 a320AM4-M3 (V1.0A)，(!不确定!：B450AM4-RX，A520AM4-M9，A300AM4-TI5，A520AM4-M3_M3D，A320AM4-M7，B450AM4-M，B350AM4-M2A，A320AM4-M3D，A320AM4-M3，B350AM4-M2，B350AM4-M)

菊花链： x570 FTW(?)
1DPC： x570 DARK

泰安 TYAN： 仅B650，ThreadRipper主板

超微 SuperMicro： 仅ThreadRipper主板

联想 Lenovo： 仅ThreadRipper主板

华南 HuananZhi： 无AMD平台主板

精粤 JINGYUE： 无AMD平台主板

主板-稳定性

来源：Buildzoid（多个视频）

DRAM width/内存芯片通道位宽

• 一次能存入芯片的数据量
• 为省成本，厂商可能会采用x16的宽通道芯片来替代两个x8位宽的芯片，节省一半走线-焊接成本
• 超过x8位宽的内存留给CPU每个计算周期的"仓库"数量减半，导致：
  • 处理性能低于同频率-时序-延迟内存
  • 造成"内存占用虚高"的问题

主板PCB层数

• 主板层数变多有利于内存布线缩短距离和绕开障碍，越多越好
• 由于主板厂商设计功底不同，所以同一拓补下的超频空间也会有巨大差距

CPU散热器螺丝孔位

• 主板CPU散热器螺丝孔的位置会影响主板布线，间接影响内存性能，因为：
  • 此处受力大，布线太近会因为螺丝拧紧，散热器拉拽，运输颠簸而断线
  • 散热器吸收的电磁波会通过螺丝孔串扰到内存-CPU信道上制造死机
• 较为优秀的螺丝孔位设计有AM3插槽，完全躲开了走线区域

ECC校验

• 椭圆曲线校验Elliptic Curve Cryptography，和软件算哈希值意义所同
• 可以纠正内存信号错误从而在工况较差的情况下正常运行
• 代价是内存PCB布局不同，增加了延迟，默认性能更差且更贵

显卡热风

• 游戏中因显卡热风升温（或者缺风道的机箱无法散热），同电压下的内存无法维持当前频率，导致死机
• 另外，显卡热风还会烧坏m.2固态硬盘

• CPU SoC电压

• 见最后页的"锐龙1000 SoC"，"LGA1151 SoC"

内存-硬件

内存阶数（Rank）

• DIMM=内存条，DRAM=内存芯片，Rank=一组/一阶/一簇DRAM，Rank数量越多越好
  • 2R常见，1R低端，4R高端但少见
    
• 如上图，从内存的参数列表里确定是一阶1R，二阶2R还是四阶4R
  • 一般情况下服务器内存条根据用途使用1/2/4R，PC两条套装用1R，中高端笔记本和PC用2R，工作站和HPC服务器用2R或4R
  • Rank数量越多越好，单条1Rx16GB DIMM的性能只能达到2Rx8GB DIMM的80~90%

    DRAM需要执行刷新操作refresh来维持其中0和1，而刷新过程中同Rank的读写等操作会延误。Rank数量增加后，本来被延误的操作可以立即切换到另一Rank上交替执行（memory interleaving）而减少延迟

常见内存PCB布局（JEDEC Raw Card）
A0 - DDR4早期，设计速度只有2133MT/S，超频空间很低
B0 - 正反双面Dual-Rank的A0

A1 - DDR4中期，最往中间的BGA可以选焊ECC芯片，在服务器/EPYC平台内存上可见，超频性能未知
B1 - 正反双面Dual-Rank的A1

A2 - DDR4晚期，成本低频率高，芯片往左右两边靠拢，所有芯片放正面使得只需一次回流焊就做好
B2 - 正反双面Dual-Rank的A2

内存PCB层数

    和主板一样有电路板层数加成。OEM内存条8层左右，中-高端10层左右，6层能跑XMP就不错了所以算电子垃圾。加厚有抗干扰能力更强，降低走线距离(?)，提高超频空间的buff。由于信息不透明所以无法在购买阶段确定层数，所以超频情况下推荐下游大厂内存

内存电容

• 高端内存上能看见更多电容被焊在内存PCB正反面上，可以增强抗干扰能力，提高超频空间
• 由于部件被焊到PCB背面，价格更高。所以衍生了"低端内存买芯片，高端内存买电容"的调侃

内存散热器
来源：r/Overclocking

• 一般内存上能看见金属散热片，但理论价格最贵的导热材料是内存芯片和散热器之间的导热介质
• 由于被挡住看不见，所以在中低端内存上的大小厂商会使用双面胶
  • 这种情况下要去掉金属散热片，或自行购置导热垫才能提高内存性能
    

芯上末端电阻/芯末电阻/末端电阻（On-die Termination / ODT）

• 重要的电压维稳，即信号质量保证措施
  • 
• DDR1电阻直接位于主板线路上，称为线上电阻Line Termination
• DDR2因成本，稳定性和空间优势将其转移到了内存芯片上
  • 阻抗Ω = 电压V÷电流A。DDR4的电阻阻抗一般是34~50欧姆，也有更低/更高的例子，超频设置为超频电压的5/10~5.8/10即可，由于比较麻烦就记作一半多一点点
    

内存-软件

修订/Rev号（Revision）

• 生产线编号，和芯片体质相关，和主板的修订号的概念有异，需搭配芯片容量大小区分体质

• 目前，可能成为不成文规定的叫法是：

  三星Rev.E芯片-->三星 ?GB E-die-->三星E-die；
  镁光Rev.D芯片-->镁光 ?GB Rev.D-->镁光Rev.D；
  海力士JJR芯片-->海力士JJR"
  

时序松紧-芯片颗粒判断

• 一般在购买的时候直接看内存频率÷tCL就能大致判断出内存档次
• 如：3200MT/S CL14的时序就是3200÷14≈228.6，这个程度只有三星B-die开XMP，或一般内存条加压超频后可以跑的出来
  • 而计算更完整的内存性能要用到跑分软件
• 算一下3200MT/S CL16，3600MT/S CL18，4000MT/S CL20的数据就能知道它们的性能大体上一样
• 所以DDR4超频情况下尤其不会考虑买3200MT/S C16这个档次（或更差）的芯片
  • 这是芯片上的差异，即使是10层PCB，正反面都加电容，有散热设计的高端内存条也不行

标速（binning）

• bin=物料分类盒，即出厂根据体质设置频率和时序档次的过程

  • OEM内存条考虑出厂效率，超出一般电脑的工作温度(车用/卫星/数据中心等环境)，所以有优质颗粒被按需标成低速的情况

    • 还有故意把高端颗粒往低了卖，然后突然换回中低端颗粒收割一波的营销战略
    • 排除以上一切可能后就是懒，如JEDECCTCCD532G5600HC46DC01, 用着高端海力士A-die（DDR5）却只标了JEDEC时序的迷之操作
  • PC内存厂商拿到芯片后会自己测试电压范围和时序，所以能保熟且尤其避免了同样是三星B-die也分特挑/合格/垃圾档次的问题
  • 如果体质实在太差，其去向就是SSD里的缓存了

Xtreme Memory Profile（XMP）

• 据JEDEC的限制，下游内存厂商根据内存颗粒等级调整工作频率和主时序（CA,RCD,RP,RAS）参数的功能
  • 主板厂商根据主板状况调整子时序参数
• 由于BIOS决定了同XMP的子时序兼容性，所以出现过较便宜或太高端的主板没有优化好，或优化过头，部分内存过不了自检的问题
  所以主板厂商会在自家主板的网页上发布测试过兼容内存条的型号，属于买内存前必查条目之一

DRAM厂商-上游

三星 Samsung 单面4GB

存在于海盗船v4.23内存，部分G.Skill Trident Z 3600MT/S，2012年前G.Skill Ripjaws >3000MT/S的内存，仅16GB条对锐龙和7代kaby lake兼容性好。整体不如E-die，但由于大部分都是OEM条，所以在中低端的性价比好

英特尔平台支持DDR4-4000+，tCL可以低的接近B-die，常见于多数4GB DDR4-3600, 3600+的内存，海盗船v4.24，英睿达Ballistix 4GB 3200MT/S

官网未列出，可能是低配版的其它芯片，已知1.5V电压下稳定性骤降

在G.Skill Aegis 序列号尾10F，Transcend以及Goodram的笔记本内存中有

三星 Samsung 单面8GB

目前最顶级的DDR4内存芯片，最佳温度在15~20°C，加风扇能有效提高超频空间。在所有商品页写3200 14-14-14的内存上可见；稀有情况会出现在3200 C16，如金士顿HyperX的笔记本内存

根据批次不同支持正常1.32V的电压，1.4V会加速老化。在海盗船v4.32 3000CL15, 3200CL16, 3600CL18，部分G.Skill和三星OEM内存条上可见。因电压缩放差所以超频空间小，在RAMAXEL NT8GA64D88BX3F，NT8GA64D88BX3F内存中可见

存在于三星OEM条，海盗船v4.33 复仇者LPX，G.Skill FlareX，G.Skill Ripjaws V内存中

存在于三星OEM条，海盗船v4.34 复仇者LPX 2×8GB 内存条中，用户评价是不如C-die

三星 Samsung 单面16GB

存在于三星和ADATA的OEM条，Patriot序列尾号11MJ3的2×32GB条，GeIL Evo Potenza中，测试发现低于1.35V的性能会下降，比E-die的时序更好收紧。CL最低只有16

存在于三星OEM条中，2x32GB桌面内存条中

镁光 Micron 单面4GB

D9RB_和D9RG_。3000MT/S以下的速度无法在1.35V运行，但3000MT/S 1.5V，或提高频率就没事。频率和电压得拉高其中一个。
在镁光OEM，低端英瑞达1Rx8，2Rx8，海盗船v3.20，金士顿4-8GB m16，办公整机可见，超频潜力低，但x99平台支持得好
Thaiphoon Burner报告这型内存有错，但可以从物料号MT40A512M8**认出

D9TG_和D9VCB。电压超过1.4V就可能过不了自检，和8GB Rev.B差距很大
在镁光OEM，低端英瑞达1Rx4，1Rx8，2Rx8；海盗船v3.21，金士顿2666MT/S 4GB m08和8GB m16可见，超频潜力比镁光A-die好，锐龙和x99平台都支持得好

D9WQL（物料号MT40A512M8WE-075E:E），没什么信息

D9WTD（物料号MT40A512M8SA-075:F），在海盗船v3.22的2400CL16内存，一些英瑞达OEM条可见，在AMD平台上属于高性价比超频条，电压信息需进一步调查

D9XJJ（物料号MT40A512M8SA-062E:G），在英瑞达FS和FRA系列OEM 2R条上常见

镁光 Micron 单面8GB

D9SR_，只在1151和AM4之前的平台上兼容性好，基本上是x99用的。在镁光OEM，英瑞达OEM，英瑞达Ballistix Sport，旧版金士顿HyperX Fury条上可见

D9TBH, D9TNW, D9VG, D9VF（可能还有）。仅在AMD平台支持好（LGA1151不能将tRCD R和W分开设），高频率下不接受高电压，有发热问题；在镁光OEM；海盗船v3.31，中端镁光8~16GB内存条上可见

在金士顿，英瑞达Ballistix，海盗船复仇者LPX上常见，出现于RAMAXEL RMUA5110MD78HAF-2666上。3466MT/S大概需要1.37~1.375V。本文作者用的就是这个，在XMP预设1.35V 3400MT/S 15-17-17-35完美通过Aida64跑分和压力测试，但因为买到了内存超频支持太差的主板，所以因过不了自检而调回了3200MT/S

D9VPP，C9BHS，C9BJZ/C9BLD 3000CL15 3200CL16，C9BKV >3600MT/S
放宽tRCD后超频空间放大，支持电压范围高且适合超频。可在一些英瑞达Ballistix 8GB 3000CL15，Ballistix 3600 ELITE 3200~3466条，海盗船v3.34，镁光OEM条上可见

镁光 Micron 单面16GB

D9XPF，C9BLH，C9BLG 3000CL15 3000CL16。海盗船32GB复仇者LPX v3.40；英瑞达Ballistix 32GB 3000；砍容量版出现在英瑞达Ballistix Max 5100，被记做8GB Rev.N

海力士 SK Hynix 单面4GB

超频加风冷可达1.5~`.7V，常见于海盗船v5.29内存，x99平台支持最好，超频空间小

超频可用1.65V，常见于海盗船v5.20内存，x99平台支持最好，超频

超频可用1.55V，已知存在于一些金士顿HyperX内存，x99平台支持最好，超频

海力士 SK Hynix 单面8GB

存在于海盗船v5.39，G.Skill Ripjaws V，AMD平台要求最新BIOS，理论超频空间比前者大。本文作者自己测试发现3200MT/S封顶，不可能再提高频率了

可能存在于海盗船v5.30，AMD平台要求最新BIOS，理论超频空间比前者大

可能存在于海盗船v5.31，海力士官方网站没有列出

超过1.45V似乎会加速老化，存在于海盗船v5.32，G.Skill Sniper，Patriot，2018年下旬海盗船复仇者LPX 3000 CL15，曜越(Thermaltake)ToughRAM，技嘉Aorus等多个品牌旗下。偏高端，但比三星B-die便宜
1JR是砍到4GB版本的CJR芯片，超频性能不变但单条内存大小降低为4GB，常见于2×8GB

达到1.45V后稳定性变化不大，存在于外星人整机，海盗船v5.38，G.Skills 042...882xJ，海力士OEM条；在Intel平台超频表现更差，官方网站没有列出

似乎是高配版CJR，据说和三星B-die一个档次，已知在3800 CL16~4600 CL19的参数区间有货，包括海盗船曜越(Thermaltake)ToughRAM

海力士 SK Hynix 单面16GB

电压支持是个谜，2020年下游厂商没有给超过1.35V，但又有了1.45V的XMP版本。存在于苹果笔记本，Patriot Viper黑化，常见于G.Skill 32GB非DC，尾号S820M的系列，官方网站没有列出

常见于海力士OEM条，曜越(Thermaltake)ToughRAM，Patriot 32GB Viper Steel代码含0BAJ， G.Skill 三叉戟RGB，G.Skill Ripjaws笔记本，G.Skill Aegis的内存

常见于整机，出现于海盗船32GB 3600MT/S的内存，以及海力士的新品广告中

出现于中国的G.Skill经济条，以及GEiL的内存上。Thaiphoon Burner误报为三星A-die

南亚 Nanya 单面4GB

NT5AD512M8B1/2，型号太老已被淘汰？从俄语写的技术文档上看可能是买了镁光技术后的成品

NT5AD512M8D3/4， 淘汰了前者。能在Patriot Viper 3000C16, 3200C16代码0EDC的内存中见到，可能在海盗船v8.23的内存中见到

南亚 Nanya 单面8GB

NT5AD1024M8A3/4。可能在海盗船v8.31，G.Skill，光威，Asgard，YYWW，TeamGroup的内存中见到，很像镁光E-die，电压信息未知

NT8GA64D88BX3F。来源 Buffalo DDR4 8GB Single Rank NT5AD1024M8B3/4。可能在海盗船v8.31能见到

NT5AD1024M8C3/4。能在YYWW 2x8GB，G.Skill Ripjaws V编号042，尾号8850C的条中见到。

力晶 PowerChip （PSC）

来源：渐缜/电脑吧评测室。产量稀少？能在G.Skill编号41A的内存条中见到。

长鑫CXMT（奇梦达，Polaris，英飞凌） 单面8GB

来源：芯智讯。一些光威，金百达Kingbank，Telcast，Tigo的3000 16-18-18-38 1.35V内存条中可见。超频结果类似海力士CJR，在Thaiphoon Burner中错误显示为三星A-die，可能已经被CQA和CQ取代

来源：ZoveyChen。超频潜力差，Thaiphoon Burner误报为三星A-die

来源：ZoveyChen。在七彩虹的内存条上可见，超频潜力不错但再加几颗电容的话性价比会起飞。Thaiphoon Burner误报为三星A-die

SpecTek

• 无资料

DIMM厂商-下游

英瑞达 Crucial

• 背景：镁光收购前，和G.Skill，海盗船一样是下游内存厂，被收购后作"镁光专卖店"
• 一般默认是镁光颗粒的内存条，包括固态硬盘里的缓存颗粒
  • 重复上述说明：不合格但能用的内存颗粒会被下放到固态硬盘缓存用

科赋Klevv

• 作为"海力士专卖店"，中国国内市场能见到，据说国外货源稀少
• 一般默认是海力士颗粒的内存条

海盗船 Corsair

芝奇 G.Skill

海力士：F4-3600C16Q-64GVKC

ADATA / XPG / 威刚

来源：B-Die finder

金士顿 Kingston (HyperX {Savage|Fury})

PSC： KVR26N19D8L/8-SP

Teamgroup / 十铨

来源：B-Die finder

长鑫 / CMXT： AU08GGB26CQYBGH

GEiL / 金邦 (EVO {X|Forza|Potenza}, Super Luce RGB Sync, White Dragon)

来源：B-Die finder

GALAX / 影驰 (Hall of fame{II|OC Lab|Exteme})

来源：B-Die finder

Patriot / 博帝 (Viper 4 {Elite}, Viper {LED,RGB,Steel})

来源：B-Die finder

Super Talent (Project X)

来源：B-Die finder

HP / 惠普

来源：B-Die finder

Thermaltake / 曜越

Avexir (Blitz)
三星B：AVD4UZ136001708G-2BZ1--，AVD4UZ136001708G-4BZ1-- ('--'代表RR, SW, GY等颜色代号)
来源：B-Die finder

Colorful / 七彩虹
长鑫CQ：WH08G3200D4NP22
长鑫CQA：WHPC08G3200D4N8

Inno3D (iChill RGB) / 映众

来源：B-Die finder

Apacer
三星B：EK.16GA4.GFAK2，EK.16GA5.GGBK2
来源：B-Die finder

Kimitigo

上下游厂商对应表

DDR4 2666MT/S

内存-验货

• 下图是从二手市场捡的海盗船统治者3000MT/S CL15-17-17-35，2x16GB v5.39的内存，初步可以推测这是海力士8GB单面的MFR颗粒
  
• 侧过来看（光线较暗不好拍，但实际上很容易看见），内存为A2布局（芯片靠近左右两端），正反两面放置共16颗芯片，因此符合8GB每面的芯片资料，最后只需要用Thaiphoon Burner检测一下就可以确定上游厂商确实是海力士
  
• 最后根据百度内存颗粒的体质，以及16GB单条，主板内存槽布局，子时序/主板时序，电压预期等等debuff，降低超频预期后，就可以开始尝试自行超频了
• 当然，本教程因篇幅而不包含超频相关信息，但这短短七千来字基本上涵盖了超频所需的所有前提条件，因此已经帮你排除一大堆科学/玄学问题，提供超频的资格了

    由于海盗船是下游厂商，所以内存颗粒性能受MFR颗粒的影响，并不会比其它品牌的内存性能更好，购买理由仅仅是图个便宜

内存-超频基础

来源：r/Overclocking；维基百科-中文；Gamers Nexus
    完整超频教程位于下半部分教程，此处仅作简述

tCL - CAS (Column Access Strobe) Latency /
列光标启动延时/列光标潜伏周期数
    类似鼠标点击文本文档里，光标出现在对应行数上的等待时间。比如3200MT/S CL16的内存，就要占用其中16÷3200×1000×2=10ns的时长。根据以上信息猜测英特尔平台上的CPU占据了主要延时，所以内存超频收益不大

• 算式中转SDR的步骤源自DDR标准在一个频率下拥有两倍带宽(?)，所以要在延迟上算入

tRCD - RAS (Row Access Strobe) to CAS Latency /
行至列启动延时 / 行地址到列地址延时
    由于从行开始寻址到列的路径更长，所以比tCL要慢一点

tRCDWR - RAS to CAS Write / Read Latency /
行至列写-读分别延时
    AM4平台（中高端?）主板有支持分别设定读/写延时的特点，超频时把读设低于写有性能提升。英特尔LGA1151平台上部分主板直接把tRCDW，tRCDR，tRP作为一个参数写作tRCDtRP。特例有镁光D9TBH芯片能在tRCDW 18~19的情况下支持tRCDR 8

tRP - Row Precharge Time /
行充电准备延时 / 行预充电延时
    ，另起一列写入内容。一般情况下和tRCDW用时一样
tRP ÷ 频率MT/S × 2000 = 延迟（纳秒）

tRAS - Row Active Time /
RAS延时 / 行光标工时 / 行活动时间
    包含tRCD，tWR所以必须大于等于其和

CPU-核外电路UnCore/SoC Voltage

来源：r/Overclocking#wiki；r/Overclocking#ram

    内存控制器锚定内存上阶数Rank的延时，如果超不动频或主板稳定/兼容性不好可以从默认最快的1T切到2T，让操作减半。GDM和CR所涵盖的命令类型不同，但原理一样

    内存控制器读写命令频率减半的功能，DDR4早期主板默认开启，稳定/兼容性不好可以打开让操作减半。比如3200MT/S的内存原来给3200M次（3.2亿次）读写，开启后降低到1600M次。GDM和CR所涵盖的命令类型不同，但原理一样

    一开始支持最高DDR4-2666，2933的速度，但BIOS升级后，理想主板上插两槽的频率放宽到了3200，但特定情况下海力士的4GB单条连XMP都跑不了，所以建议1x8GB，2x8GB起步

    SoC电压支持最高1.2V，建议1.05V起步；超过1.2V后会加速老化，有的主板BIOS设定偏移值而非实际电压，所以要先用HWiNFO之类的软件测算，可以用Ryzen Master于系统内做预演

VCCIO：电压决定内存的高频稳定性，支持最高1.3V，但超过1.25V后就没什么收益了
VCCSA：电压决定内存的高频低时序的稳定性，和VCCIO设置方法一样

    3600MT/S以下基本不用动电压，注意酷睿12K比内存超频性能12要好一些的差距

    少数人运气好内存可以上3600MT/S，正常情况下3200MT/S

没查到多少有用信息，所以略=_=

x399主板天梯(安卓/IOS不要打开)
电源天梯(安卓/IOS不要打开)
显卡天梯-厂商下游(安卓/IOS不要打开)
LGA1151 v2 主板天梯(安卓/IOS不要打开)

PS： 最近在不停地写科普原来是因为显卡实在带不动游戏也买不起新卡所以没事闲的。那么就这样样...

更新2： 增加了长鑫CMXT CQA和CQ芯片的数据
更新3： 将Mhz替换为Mbps，扩充了厂商表格的内容
更新4： 扩充了厂商表格的内容，修复了一些用语错误
更新5： 忘了
更新6： 根据下篇教程的发布重新整理了所有内容，将Mbps替换为MT/S，重写了Rank科普，增加了Rank科普配图，重新整理了主板相关内容（档次，值钱功能，绝版功能，BIOS相关内容，内存走线拓补）
更新7： 增加了一大批不同厂商主板的内存拓补信息，更新了AM4主板天梯的镜像，增加了ITX/DTX主板相关信息
更新8： 整理了1DPC，菊花链，T拓补的区分排版
更新9： 整理了内容排版，增加了DDR5内存相关的内容，改进了主板部分的科普

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