❀非100%教程！部分内容仅算作搬运整理

❀超频有损坏软件的风险，乱超频有损坏硬件+失去保修的风险；谨慎操作，自负盈亏

❀确保系统硬件能通过Cinebench，Intel Burn Test，Furmark等烤机测试，最好整点大型游戏（测试USB总线与CPU同时负载）以确保系统几乎不可能死机，然后再考虑内存超频

• 如果还没买内存（或主板），建议先看 上期教程-内存购买前的超频教程

FCLK： Infinity-Fabric总线频率
MCLK： DIMM频率
MCCLK： 内存控制器MC频率

ZEN4分离了MCCLK与FCLK之间的工作频率（见Decoupled clocks），因此：

1. FLCK的2000~2133Mhz与MCCLK无关
2. 和ZEN3不同，ZEN4的FCLK，MCCLK与MCLK无法达成1:1:1频率同步
3. 已知低于AGESA 1.0.0.7C版本，MCLK 6000MT/s下，FCLK的最佳频率只有2033Mhz，设定更高频率会损失性能

Memory Controller（MC）： ，位于处理器上，真正执行内存操作的芯片

• 控制器越多则成本越高，但支持的内存条通道及数量就越多
• MC品质好则同频率下越稳定，或支持的内存运行频率越高

Raptor-Lake MC 支持的DDR5频率更高，但在不同主板与DIMM上可复现 随机间歇性内存错误问题

• 为安全，建议跑3小时的各种压力测试来验证内存稳定，或降低内存频率使用

ZEN4 MC 支持的DDR5内存频率上限仅6200MT/s，但因没有MC抽风问题，所以Buildzoid总结只要跑个10分钟测试结果正常，就代表超频成功了

• 6400MT/s后台运行聊天软件+做种，前台写写文档还可以，但一跑MemTest就会露馅

分库Bank： 由对应的一套操作列和缓存行组成的小分区，位于内存芯片DRAM内，DDR3的DRAM中有8个分库，DDR4中有16个分库，每四个一组，一组分库叫Bank Group

• DDR5有32个分库

分阶/分簇Rank： 一簇DRAM芯片，常见的2Rx4、2Rx8中的R，一般PCB一侧为一个Rank

• 同DIMM里，DRAM越多，Rank则越多，处理器能用的Bank就越多，性能越高，造价越高
• 4RxN的DIMM存在但少见，可能在HPC服务器中能找到
  

缓存行Column/纸线Wordline：

• 横向连接着分库中的内存单元行（中的晶体管栅极开关）
• 负责启用/断开Bitline连接到某行内存单元（中代表0和1电容）

操作列Row/笔线Bitline： 连接分库中所有内存单元中，需要在栅极打开后才能访问内存单元中电容的读写线

• 纵向连接着分库内的所有单元，所以需要纸线的开关来确定读写范围，否则会写入/读取错行的内存单元

1T1C内存单元：

• 含晶体管栅极=Transister_Gate×1，电容=Capacitor×1，所以叫1T1C
• 栅极=开关介质，电容=储存介质
• 目前该结构已被淘汰，因便于举例而用：
  

关于笔线和纸线的翻译：
WordLine/WL和Bitline/BL没有译名，且原文是随便写的，故要造词而不可译

• "纸线"的"纸"包容了Precharge，Activate等命令抽象到人类动作，为"收纸"和"取纸"
• "笔线"的"笔"只包容了Write，没有Read，且人类历史上都是用眼阅读，所以能"同时读写"，又对应到"纸"，还是人类动作的词只有"笔"
• 通过"纸"与"笔"的翻译，一些原文不存在的操作顺序（先铺纸后书写），级别关系（功能不同但一样重要），出错逻辑等性质能在DRAM中一一对应起来，且没有为了翻译精准而使用生僻字，足够简单好记

Precharge初始化：

• 笔线纵向连接着分库内的所有单元，所以一次只能读写一行。如要切换到另一行内存单元读写，就需要Precharge命令将当前行的纸线断电
• 纸线断电后，当前行的晶体管栅极关闭，当前行的电容从笔线上离线，但电量/数据不变

Activate启用： 紧接着Precharge完成后，打开另一缓存行进行读写的步骤

Refresh刷新： 给整个Rank中的DRAM"充电"，保证每个内存单元的数据不受时间变化而流失

1. 这个步骤会用到笔线上连接的感应放大器来将当前缓存行中，单元电容的电压"二值化"
2. 得到原本是0或者1后"刷写"
3. 当前行Precharge，下行Activate，然后重复1~2，直到当前分库完成刷新
4. 在下一个分库中重复1~3
   

• 刷新会造成让1Rx16 DIMM比2Rx8 DIMM慢10%~20%的延迟，因为多Rank DIMM的刷新可以错开，要等待的写入操作可切换Rank完成，叫做Memory Interleaving

Double-Data-Rate设备的 "时钟周期数" 双倍于运行频率工作，故不用MHz，GHz来描述其运行速度
正确的单位是单位T（周期数）代表MCLK的频率数量，除以秒得到T/S，KT/S，MT/S的频率单位

• 3200MT/S-->1600MHz（DDR，1/2）
• 3200MT/S-->0800MHz（QDR，1/4）

Buildzoid推荐用Mbps，Gbps来代替MT/S，GT/S表示内存速度

• 6000MT/S-->6000Mbps（DDR，1/1）
• 6000MT/S-->6000Mbps（QDR，1/1）

1. 学会DDR5内存区别于DDR4的安装方式
2. 如果已经调整过BIOS设定，则应保存一份副本
3. 装好系统，确保驱动/固件/BIOS全部更新到位
4. 至少在XMP/EXPO预设下能通过5轮MemTest测试
5. 主板的快速启动功能默认跳过读写预习训练Training，故建议在初次超频时关闭fastboot
   • 一般在主板高级菜单中的BIOS或Boot菜单里，如下图：
     
     

• 金属氧化物场效应晶体管MOSFET（以下简称MOS管）的位置见图：

漏极Drain/漏极电压Drain Voltage（VDD）：
MOS管中，源极，漏极，栅极三大针脚之一（此处忽略4针MOS管）

• 源极Source: MOSFET输入端
• 漏极Drain: 输出/芯片供电上游
• 栅极Gate: 降输出电压用的高频开关，需多个MOS管来重叠开状态的波峰，或者少量MOS管以更高频率（发热）状态工作以持续输出直流电

漏极输出连接着CPU或DIMM，拉取的电压越大，通给芯片的电压就越大

• 供电抵达SoC或DRAM前，还要穿过几层基板（处理器或内存的PCB），因此一般电脑的VDD电压要比核心/封装层电压高0.2~0.6V

集电极Collector/集电电压Col. Voltage（VCC）：
此处和"VDD"电压的意义完全相同，在电气学上是把MOSFET换成了双极性晶体管BJT的叫法

• 射极Emitter: 等于源极
• 集电极Collector: 等于漏极
• 基极Base: 等于栅极

BJT功耗或发热更高，但比MOSFET更适合放大电流，所以常见于包括HiFi影院监听耳机车载等音频系统的音频功放，电视信号功放等电路中

• Intel做处理器的年头久了，所以继续叫VCC可能只是情怀

ZEN4平台（Buildzoid推荐）

• 如果设定过了PBO超频，则应保持CPU Core Voltage设置为自动
• 注意： 不同主板厂商的电压命名方式不同，找不到选项时记得看说明和逐字查找

Alder-Lake，Raptor-Lake平台（Buildzoid推荐）

• Buildzoid DDR5-7000 1Rx16超频结果
• Buildzoid Intel 主板供电原理
• Buildzoid Alder-Lake BIOS电压设置

• 根据Buildzoid，本超频预设是为了进一步根据自己情况优化的"起点"，而非"终点"
• Buildzoid测试了Hynix A-die，M-die等多个2x16GB DIMM，DRAM；ASUS，AsRock，Gigabyte等厂商的主板；分别在HCI MemTestPro（2000%覆盖）和y-Cruncher（3.5小时）上正常通过了压力测试后确认了其稳定性
  • 本文作者使用MSI B650 Edge主板，通过了Memtestpro，几个月下来没有遇到问题
• 超频前后结果见本页底部
• 手机端需要右划屏幕才能看到表格右侧

MSI主板设置图例：

末端电阻ODT： 见上期教程-内存购买前的超频教程

阻抗Impedance： 信号强度需求。如果生成信号的强度不足，则信号无法被正确识别（此处被末端电阻拦截）；强度过高则会因为阻抗Ω = 电压 V÷ 电流 A的关系而造成的高电压破坏，类似落地式音箱功放烧坏低阻抗耳机的情况

• 为确保万无一失，无论如何都要跑点什么内存测试来验证一下
• 有HCI MemTestPro，y-Cruncher，AIDA64等工具可用
• 建议不要用对内存压力偏低的Cinebench等CPU测试软件

• 使用了锐龙7700X，B650平台，F5-6400J3239G16G内存（6200MT/s 2x16GB 32-29-29-102 CR1T），AIDA64的内存跑分功能
• AGESA 1.0.0.7A 稳定BIOS 超频前-后，6200MT/S：

• AGESA 1.0.0.7C Beta BIOS 超频后1-2，6200MT/S：
  • 从7950X降级到7700X降低了内存读取性能
  • 提高了内存带宽且未增加延迟

• AGESA 1.0.0.7C Beta BIOS 超频后1-2，6400MT/S：
  • 从7950X降级到7700X降低了内存读取性能
  • 大幅提高了内存带宽且未增加延迟
  • 通过Memtestpro，全线程29760MB占用，121%覆盖（1.5小时）的测试
  • 通过y-Cruncher跑了所有算法120秒轮流的测试半小时
  • 然而只成功开机过一次，所以开机成功率只有5%，无数次清BIOS尝试了各种方法，最后只有改回6200MT/S才能开机

• AGESA 1.0.9.0 BIOS 超频后1-2，6000和6200MT/S+：
  • 实现了FCLK 2200MHz超频，并通过了上述测试，可以感到鼠标更加跟手了
  • 实现了CL30时序缩减，并通过了上述测试

关于DDR5的ECC校验：

• DDR5内存比DDR4桌面端强在使用了On-die ECC校验，但和真的ECC芯片原理/Off-die ECC不同，是多装了颗内存芯片来实现的，所以内存超频后的校验效果存疑

主要资料来源：

• Buildzoid/AHOC
• Reddit (DELETED USER)
• TechSpot deadfellow.480348
• Reddit u/rainmakesthedaygood
• Branch Education - How DRAM Works

那么就这样吧。